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测量原理（Measurement Principle）

本机采用电容传感器(Capacitive Probe)及涡电流传感器(Eddy Probe)组成的电路间接获得晶圆表面及内部特征信息，通过计算得到Wafer晶圆的电学以及几何参数数据。

功能用途（Function）

用于对硅材料的测量，可以获得的参数包括：THK、WARP_3p 、BOW_3p 、TTV、THK_ave、THK_min、THK_max、Diameter、Resitivity、P/N型等8个参数，同时可以输出TTV和BOW/WARP的二维、三维图。

工件尺寸(Part Range)

Φ8或Φ12（Inch）晶圆

性能指标(Specification)

Parameter	Value
厚度测量精度（使用玻璃标准片/25次静止重复/1sigma）	±0.5μm
重复性精度（StDev）（使用玻璃标准片/25次静止重复/1Sigma）	<0.1μm（标准模式）
重复性精度（StDev）	<0.15μm（高速模式）
分辨率	0.01μm
重复性精度（BOW/warp）	<2μm+测量值*1%
产能	≥50片/H

电阻率测量精度(Resistivity Testing Accuracy)

测量范围：1.000-100.0Ω·cm

分辨率: 4位

电阻率重复精度：

LL/LHrange: σ/Ave< 0.2%~0.8%

HLrange: σ/Ave< 0.3%~1.0%

HHrange: σ/Ave< 0.3%~1.0%

直径测量精度(Diameter Test Accuracy)

重复精度：σ<20μm

其他功能(Other Function)

* 可以根据BOW/WARP 分档

* 负BOW可以翻面收纳

* Cassette 总数：4*2

* 使用普通片盒（不使用开合器）

* 输出二三维TTV及WARP图像

结果输出（Data Output）

2D厚度输出(2D TTV Drawing)

3D轮廓输出(3D Data Profile)